Усилитель 300 Ватт Иштвана Урбана на четырех парах HEXFET
Усилитель Иштвана Урбана (на рисунке) построен на четырех парах полевых транзисторов HEXFET. Схемотехника классическая : с токовым зеркалом (Т2, ТЗ) в качестве нагрузки первого дифкаскада (Т4, Т5); с активными генераторами тока (Т13, Т8); с каскодным усилителем напряжения (Тб, Т7). Усилитель дополнен оригинальным каскадом на ОУ IC1, который для звуковых частот является повторителем напряжения (100%-ная местная ООС через С4). Поэтому он не входит в петлю общей ООС УМЗЧ, но, в то же время, через резистор R15 замыкает петлю ООС по постоянному току и зорко следит за нулем на выходе УМЗЧ.
На ІС2, терморезисторе R30 и транзисторах Т1, Т14 выполнена схема автоматического приглушения (MUTING), срабатывающая при перегреве выходных транзисторов.
На нагрузке 4 Ом усилитель развивает постоянную синусоидальную мощность 225 Вт и пиковую 300 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,1% во всем звуковом диапазоне частот.
Источник: Книга Лучшие конструкции УНЧ и сабвуферов своими руками Сухов Н. Е.
Мы используем cookie-файлы, чтобы улучшить сервисы для вас. Если ваш возраст менее 13 лет, настроить cookie-файлы должен ваш законный представитель. Больше информации
Нет комментариев