Флеш-память в USB-накопителях и смартфонах работает благодаря квантовому туннелированию — явлению, которое считалось невозможным в классической физике.

⠀
Принцип флеш-памяти основан на перемещении электронов через изолирующий слой с помощью квантового туннельного эффекта — способности частиц "просачиваться" сквозь энергетические барьеры.
⠀
Без квантового туннелирования электроны не могли бы преодолевать изолирующие слои внутри транзисторов, а значит запись или стирание данных были бы невозможны.
⠀
Вероятность туннелирования электрона через барьер экспоненциально уменьшается с увеличением толщины барьера, что позволяет хранить данные годами без потери информации.
⠀
Квантовое туннелирование также используется в туннельных диодах, сканирующих туннельных микроскопах и может стать основой для квантовых компьютеров будущего.