Предыдущая публикация
Компании Quinas Technology и IQE plc объявили о переходе памяти ULTRARAM к этапу пробного производства. Технология разработана для совмещения скоростных характеристик оперативной памяти со свойствами энергонезависимости флеш-памяти. Партнеры преодолели ключевой технологический барьер в создании эпитаксиальных слоев для этой памяти. В основе памяти ULTRARAM лежит принцип резонансного туннелирования в тонких слоях антимонида галлия и антимонида алюминия. …
Хештеги # Upweek.ru , #Новости #Новости
Ссылка https://txnl.ru/JT4bU
Присоединяйтесь — мы покажем вам много интересного
Присоединяйтесь к ОК, чтобы подписаться на группу и комментировать публикации.
Нет комментариев