SK hynix начала выпуск 321-слойной памяти NAND

Южнокорейская компания SK hynix объявила о начале массового производства флеш-памяти NAND с 321 активным слоем. Новая разработка использует технологию QLC (quad-level cell) и обладает емкостью 2 Тбит на кристалл. Это первое в мире серийное решение с количеством слоев более 300. Продукт разработан для повышения cost-конкурентоспособности и имеет удвоенную емкость по сравнению с существующими решениями. Для …
Хештеги # Upweek.ru , #Новости #Новости
Ссылка https://txnl.ru/BGOPc