Учёные «вырастили» одномерный субнанометровый транзистор, причём без литографических сканеров

Согласно долгосрочным планам IEEE, полупроводниковая промышленность к 2027 году освоит литографию с шагом (узлом) 0,5 нм при ширине затвора транзистора 12 нм. Учёные из Южной Кореи нашли возможность уже сегодня выращивать более мелкие транзисторы, не ожидая улучшения литографических сканеров. С помощью новой разработки они без сканеров научились создавать электрод затвора шириной 0,4 нм для работы с транзисторным каналом шириной…
Хештеги # 3dnews.ru #ГлавныеНовостиНанотехнологии
Ссылка https://txnl.ru/K3TZ6