АО "Зеленоградский нанотехнологический центр" (АО "ЗНТЦ") – предприятие, которое не только активно развивает непростое направление микроэлектронного производства, но и стремится соответствовать в этом самым передовым тенденциям, выстраивая кооперацию с ведущими отечественными вузами и предприятиями для создания полноценных цепочек от разработки ЭКБ до создания аппаратуры с ее использованием. В уходящем году компания проделала большую работу сразу по нескольким направлениям. Это сборка полупроводниковых приборов и интегральных схем, производство электронной компонентной базы по технологии нитрид галлия на кремнии и интегральная фотоника. О достигнутых результатах и наиболее перспективных областях, в которых развивается Зеленоградский наноцентр, рассказывает генеральный директор АО "ЗНТЦ" Анатолий Андреевич Ковалев. Анатолий Андреевич, в конце года принято подводить некоторые итоги. Что удалось сделать вашему предприятию в уходящем году? АО "ЗНТЦ" с этого года активно развивает технологии производства силовых, в том числе нитрид-галлиевых, транзисторов в корпусах типа TO и подобных им. Сложность освоения данной технологии прежде всего заключается в том, что она должна быть очень дешевой – иначе в ней нет смысла. В силовой электронике такие компоненты очень востребованы, объем рынка исчисляется сотнями тысяч и даже миллионами штук. Нитрид галлия на кремнии (GaN -Si) – это мировой тренд, который постоянно обсуждается в отрасли, и на российском технологическом поле достаточно много компаний смотрит в эту сторону. Данная технология вполне реализуе­ма в серийном производстве, а сочетание скорости переключения нитрид-галлиевых транзисторов и их мощности с дешевизной кремниевой подложки позволяет рассчитывать на широкое применение этих изделий, прежде всего в системах питания как мобильных потребительских устройств, так и электромобилей. Диапазон пробивных напряжений GaN-Si-транзисторов, который мы определили для себя в качестве целевого – от 150 до 600 В; он как раз перекрывает потребности данных областей применения. К настоящему моменту мы полностью закупили необходимое оборудование и часть его уже запустили. Планируем завершить эту работу в первом квартале будущего года и ко второму кварталу уже выйти на установочные партии изделий на основе технологии GaN-Si. Мы ведем данную работу совместно с нашим основным партнером – НИУ МИЭТ, в рамках которой университет разрабатывает базовые технологии, а мы их реализуем на нашем производстве. Задача сегодняшнего дня – вместе с технологическими и индустриальными партнерами по кооперации создать сквозную технологию нитрида галлия на кремнии, полностью локализованную в России: от эпитаксиального производства GaN-подложек до изготовления транзисторов, их сборки и интеграции в аппаратуру. В этом проекте участвует целый ряд компаний, обладающих компетенциями в определенных областях. Так, за ростовое оборудование отвечает компания "НТО" из Санкт-Петербурга; изготовлением эпитаксиальных слоев занимается зеленоградское предприятие "Эпиэл"; мы взяли на себя постростовую часть – кристальное производство. В России достаточно много компаний, которые разрабатывают и применяют компоненты на основе нитрида-галлия на кремнии, но сейчас сами чипы изготавливаются за рубежом. Цель нашей совместной с партнерами работы – разработать дорожную карту проекта и предложить сквозную технологию, по которой GaN-Si-приборы и разрабатывались бы, и производились полностью в нашей стране по полному технологическому циклу. Вы назвали в качестве рынка GaN-Si-технологии силовую электронику, но у нитрида галлия есть потенциал и в области СВЧ. Планируется ли на вашем предприятии реализация кристального производства по технологии нитрида галлия на кремнии и для этого направления? Действительно, нитрид галлия – хороший материал для СВЧ-электроники. На гражданских рынках, связанных в первую очередь с телекоммуникационной аппаратурой, нет другого варианта удешевления продукции, кроме как использование технологии нитрид галлия на кремнии. В гражданской сфере наиболее востребованы полупроводниковые приборы, рассчитанные на частотный диапазон до 12 ГГц. Это вполне реализуемо на данной технологии. Более того, мы уже получили такой транзистор, провели измерения его параметров и аттестовали данный прибор. Правда, этот транзистор был изготовлен на зарубежных эпитаксиальных подложках, но мы ожидаем в ближайшее время появление таких подложек российского производства от компании "Эпиэл". Следует отметить, что если в силовой электронике не требуются малые проектные нормы – там вполне достаточно нормы 0,35 мкм, которая легко реализуется на нашем производстве, – то при использовании этой же технологии в изготовлении СВЧ-изделий необходимо создание затвора размером до 90 нм. На нашей площадке мы это выполняем с помощью имеющейся у нас установки прямой литографии и таким образом "сшиваем" всю цепочку также и для СВЧ-изделий. Так что эта технология у нас тоже в целом освое­на, и к концу следующего года мы рассчитываем выйти на небольшие серии СВЧ-приборов. Надеюсь, через год мы сможем поделиться с вами успехами и в этой области. GaN – это не единственное направление? Конечно. В стадии освоения технология производства специальных датчиков и чипов для контроля радиационно-стойких микросхем. Активно развивается технология производства элементов интегральной фотоники, над которой мы уже некоторое время работали в инициативном порядке, но теперь она приобрела у нас официальный статус. Фотоника – это направление, которое быстро развивается во всем мире, в том числе в России. До недавнего времени оно включало в основном такие элементы, как светодиоды, лазеры и другие компоненты приемо-пере­дающих устройств. Сегодня в рамках сквозного проекта, якорным заказчиком которого выступает ведущая отечественная компания в области телекоммуникаций ПАО "Ростелеком", мы ставим на нашей площадке серийную технологию производства базового фотонного интегрального компонента – оптического мультиплексора. Цепочка кооперации выстроена следующим образом: АО "ЗНТЦ" разрабатывает технологию и сам чип мультиплексора, известная на нашем рынке компания "Т8" создает устройство мультиплексирования, а "Ростелеком" будет применять эту аппаратуру в своих системах передачи данных. Все параметры устройств и сроки выполнения согласованы по всей цепочке проекта. Технология интегральной фотоники потребует достаточно серьезной переработки ряда технологических процессов, потому что они отличаются от стандартных КМОП-операций. Мы к этому готовы: в рамках проекта мы дооснащаем наше кристальное производство, спроек­тировали и собрали специализированные измерительные стенды.  Читайте полную версию интервью на нашем сайте. https://www.nanoindustry.su/journal/article/9154 Больше познавательной информации на сайте: technosphera.ru #техносфера