Samsung начала выпуск TLC 3D V-NAND 9-го поколения с рекордным по скорости интерфейсом

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения. Источник изображения: Samsung
Подробнее https://7ooo.ru/group/2024/04/23/197-samsung-nachala-vypusk-tlc-3d-v-nand-9-go-pokoleniya-s-rekordnym-po-skorosti-interfeysom-grss-301690403.html