Задание мягко говоря некорректно: нахрена здесь нижний вольтметр? Вот если бы он измерял напряжение на переходе база - эмиттер, которое зависит к примеру от температуры, тогда можно вычислить ток через этот переход, вычесть его из показаний амперметра и умножить на показания верхнего вольтметра!
Посмотрите характеристики транзистора. При коллекторном токе 150 ма и токе базы 15 ма, напряжение на переходе может достигать 1,7 вольта. Вы взяли - 0,6.
Далее мы видим, что транзистор находится в режиме насыщения. Можем это и проверить, если выполнятся условия Iк ≤ Iб * h 0,3687 ≤ 0,1113 * 25 (2,78), да транзистор находится в режиме насыщения. Сопротивления перехода К-Э при таком режиме уменьшается до 0,1 Ом, соответственно и уменьшается напряжения на этом переходе. Из графика на 2N3053 находим падения коллекторного напряжения на транзисторе и оно равняется 0,17 В. Здесь вольтметры врут, а может быть R1 сильно уменьшено.
Если транзистор находится в режиме насыщения, то согласно графикам на 2N3053 на коллектор – эмиттер должно быть 0,17 В, но не как 2,15 В. Я вижу две причины почему так произошло. Первая ошибка в написании номинала R1, если R1 = 100 Ом заменить примерно на 1,2 кОм, то транзистор перейдёт в режим усиления и показания вольтметров будет соответствовать. Расчёт обычный, только мощность будет около 4,7 Вт, из-за уменьшения тока базы. Вторая причина это несоответствие показания вольтметров, расчёт в таком случаи описан выше. 0,87 В получилась на пересечении Iк = 0,3687 с кривой Iк = 10 Iб (верхняя точка), кстати в это выражения и подходят Iк = 150 ма и Iб = 15 ма.
Я в курсе, пытался найти параметр максимальный ток базы не нашёл. Но если смотреть на графики (выше) напряжения база - эмиттер заканчивается 1 вольтом, а здесь всего 0,87 В, да и мощность на переходе около 100 мВт, должен выдержать. Жаль нет такого транзистора, а то бы уже собрал схему.
На L1 мощность практически 0 т.к. активное сопративление дросселя практически 0. Ток эмиттера ограничивается резистором в эмиттере - отриц.обратная связь по току.
Мы используем cookie-файлы, чтобы улучшить сервисы для вас. Если ваш возраст менее 13 лет, настроить cookie-файлы должен ваш законный представитель. Больше информации
Комментарии 22
IL = 0480 - 0.114 = 0.366 А
РL = 0.366 * 9.95 = 3.6417 ≈ 3.64 Вт
Результат: 3.605 В.
Iб = (12 В - 0,87 В) / 100 Ом = 0,1113 А
Iк = 0,48 А - 0,1113 А = 0,3687 А
Далее мы видим, что транзистор находится в режиме насыщения. Можем это и проверить, если выполнятся условия Iк ≤ Iб * h 0,3687 ≤ 0,1113 * 25 (2,78), да транзистор находится в режиме насыщения. Сопротивления перехода К-Э при таком режиме уменьшается до 0,1 Ом, соответственно и уменьшается напряжения на этом переходе. Из графика на 2N3053 находим падения коллекторного напряжения на транзисторе и оно равняется 0,17 В. Здесь вольтметры врут, а может быть R1 сильно уменьшено.
Uн = 12 В - 0,17 В = 11,83 В.
Pн = 11,83 В * 0,3687 А = 4,36 Вт