Предыдущая публикация
В Принцип Компани
Располагая 1024-разрядной шиной каждая из которой работает со скоростью до 3,6 Гбит/с.
Пропускная способность памяти HBM2E обеспечивает пропускную способность до 460 ГБ/с. Это быстрее памяти HBM2 на 50%.
Стеке HBM2E может содержать до 8 кристаллов плотностью 16 Гбит. Кристаллы связаны по технологии TSV (Through Silicon Via) - максимальный объем до 16 ГБ. По этому показателю новая память опережает HBM2 в 2 раза.
Следующая публикация
Нет комментариев