Когда технология памяти 3D NAND находилась на заре своего развития, слоёв в кристаллах было значительно меньше, а отверстия металлизации были толще. Сегодня число слоёв перевалило за 200 и обещает подняться до 400 и более. Это сильно снижает скорость обработки пластин с памятью, поскольку травление отверстий металлизации на всю глубину разбухшего кристалла сильно тормозит процесс производства чипов и не позволяет снизить их себестоимость. Учёные из США попытались помочь с этим и добились результата. Источник изображения: ИИ-генерация DALL·E/3DNews
Подробнее https://7ooo.ru/group/2025/02/15/431-proryvnaya-tehnologiya-travleniya-kristallov-3d-nand-sdelaet-ssd-oschutimo-deshevle-no-eto-ne-tochno-grss-381737165.html
Присоединяйтесь — мы покажем вам много интересного
Присоединяйтесь к ОК, чтобы подписаться на группу и комментировать публикации.
Нет комментариев