Инженеры совершили прорыв в графеновых мемристорах — резисторах с «памятью»

Учёные из Лондонского университета королевы Марии и компании Paragraf Limited совершили значительный прорыв в разработке графеновых мемристоров — ключевого компонента для будущих систем вычислений и ИИ. Их инновация, недавно опубликованная в журнале ACS Advanced Electronic Materials, демонстрирует масштабируемый процесс производства мемристоров на основе графена на уровне пластин, что важно для серийного выпуска.
Подробнее https://7ooo.ru/group/2024/10/26/986-inzhenery-sovershili-proryv-vgrafenovyh-memristorah-rezistorah-spamyatyu-grss-350563097.html