Модуль DDR5 на 512 ГБ от Samsung

Компания объявила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 по технологии High‑K Metal Gate, объёмом 512 Гб. Она будет в два раза быстрее, чем DDR4 и потреблять меньше энергии. Технология High‑K Metal Gate это способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала. Преимущество в том, что у таких полупродников проницаемость больше, чем у диоксида кремния. High‑K Metal Gate начали применять ещё в 2018 году при производстве чипов GDDR6. При помощи использования технологии межкремниевых соединений память DDR5 от Samsung объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый. Это обеспечит максимальную ёмкость в 512 ГБ. По словам компании, у новой памяти