Western Digital завершила разработку 112-слойной 3D NAND, но производство задержится

Производители памяти 3D NAND продолжают рваться вверх, выпуская чипы с постоянно растущим числом слоёв. Это позволяет экономить место на кристалле, не жертвуя ёмкостью микросхем. Первыми рубеж в 100 слоёв покорили Samsung и SK Hynix, а сегодня их догнала Western Digital. Компания Western Digital сообщила, что она совместно со своим партнёром японской компанией Kioxia (ранее Toshiba Memory) завершили разработку 112-слойной памяти 3D NAND, которая в определении партнёров относится к пятому поколению памяти BiCS (BiCS5). Также компании приступили к опытному производству микросхем нового поколения в виде 512-Гбит чипов с записью трёх бит в каждую ячейку или TLC.
Подробно: https://gsc96.ru/blog/tekhnologii/western_digital_112_3d_nand_/?utm_source=ok&utm_medium=cpc #новости
#сервисныйцентр
#gsc
Подписывайтесь на https://ok.ru/group/54395581825136 (Городской Сервисный Центр Ревда) и будьте в курсе самых свежих новостей из мира электроники и современных технологий!