🔋Технология GaN у зарядок: что это такое и чем отличается от обычных зарядных устройств

Технология GaN в зарядных устройствах — это сравнительно новый подход (2000х годов) в производстве полупроводниковых компонентов, который позволяет заменить традиционный кремний в микросхемах на нитрид галлия.
Преимущества GaN-зарядок:
📍Высокая эффективность и меньшее выделение тепла: GaN-транзисторы более эффективны, чем кремниевые, и могут работать при более высоких напряжениях, частотах и температурах. Даже при высокой мощности сам адаптер греется гораздо меньше.
📍Меньший размер: благодаря высокой эффективности и способности работать при более высоких частотах, GaN-транзисторы могут быть меньше по размеру, чем кремниевые.
📍Высокая мощность и скорость зарядки: Это особенно важно для ноутбуков и смартфонов.
В практическом применении GaN-зарядки могут предлагать мощность от 30 Вт до 100 Вт, и даже выше, что значительно превышает возможности большинства традиционных кремниевых зарядок (18–25 Вт).
📍Энергоэффективность: GaN-зарядки имеют более высокий КПД при преобразовании электрической энергии. В долгосрочной перспективе это свойство может способствовать снижению затрат на электроэнергию.
📍Устойчивость к высоким температурам: GaN-транзисторы могут работать при более высоких температурах (до 200 °C), чем кремниевые (до 125 °C), что делает их надежнее в экстремальных условиях.
Внешне они практически не отличаются от иных зарядных устройств. Читайте этикетки и находите подходящее 🖤