На рынке оперативной памяти готовится революция

Гигантский производитель создает в разы более емкую и дешевую замену DRAM

SanDisk работает над памятью 3D Matrix Memory, которая, по ее заверениям, будет вдвое дешевле и в четыре раза более вместительной в сравнении с нынешними планками оперативной памяти стандарта DRAM. Производительность при этом должна быть на одном с ними уровне.

Опасный конкурент DRAM

Компания SanDisk, известная в первую очередь своими USB-флешками и твердотельными накопителями, заявила о разработке нового, прорывного стандарта оперативной памяти. С его помощью она намерена заменить DRAM на компьютерном рынке, обещая, что он будет едва ли не во всем лучше конкурирующего стандарта.

Свое новшество SanDisk назвала 3D Matrix Memory. В компании подчеркивают, что ее новая память стоит в два раза дешевле, но при этом вмещает в четыре раза больше информации, нежели современные чипы DRAM. К тому же пропускная способность 3D Matrix Memory ничуть не ниже, то есть с точки зрения пользователей новая память имеет одни только плюсы.

Над 3D Matrix Memory SanDisk работает не одна. Ей в помощь отрядили специалистов исследовательского центра IMEC, и основывается 3D Matrix Memory на так называемой «архитектуре плотных массивов». По словам разработчиков, в четыре раза более высокой емкости удалось добиться за счет использования ячеек с новой матричной конструкцией.

Что не менее важно, сама память остается совместимой с различными отраслевыми стандартами, включая открытый стандарт CXL. В теории это может означать, что переход ПК-индустрии с DRAM на 3D Matrix Memory может оказаться относительно простым и быстрым.

Громкие заявления

Во время презентации 3D Matrix Memory SanDisk сделала несколько заявлений о ней – в частности, она утверждает, что ее разработка способна пробить «стену памяти». Это давняя проблема для разработчиков памяти, и заключается она в неспособности компаний, работающих над усовершенствованием компьютерной памяти, успевать за постоянно растущими требованиями отрасли к ней.

Также SanDisk не преминула упомянуть и снижение темпов развития памяти DRAM. На это влияет множество факторов, включая постоянное удорожание производства чипов памяти при относительно низком спросе на них ввиду их избытка на складах. SanDisk подчеркнула, что на 3D Matrix Memory действие всех этих факторов не распространяется.

В компании не сомневаются, что если сейчас при производстве памяти DRAM компании зачастую теряют деньги, продавая их по низким ценам, то в случае 3D Matrix Memory экономическая эффективность, напротив, будет не просто очевидной – она еще и будет расти в течением времени. SanDisk даже подготовила график, согласно которому на шестой год производства памяти 3D Matrix Memory компания, занявшаяся ее выпуском, ощутит 50-процентную экономию затрат на каждый бит памяти по сравнению с нынешними DRAM-модулями.

Ждать слишком долго

SanDisk не стала называть даже примерные сроки начала производства памяти 3D Matrix Memory. Она разбила подготовку к этому на несколько этапов, каждый из которых может сильно затянуться. Самый первый – переход от производства 150-миллиметровых пластин на исследовательской фабрики Western Digital к 300-миллиметровым пластинам на производственном объекте IMEC. Реализовать этот переход планируется в 2025 г.

Второй этап постепенного перехода на 3D Matrix Memory – это производство нескольких образцов модулей памяти первого поколения емкостью 32-64 Гбит. По срокам здесь никакой конкретики пока нет.

Да и в целом важно отметить, что разработка 3D Matrix Memory ведется с 2017 г., то есть восемь лет. За это время рынок оперативной памяти прочно захватили вышедшие в 2020 г. быстрые и энергоэффективные чипы DDR5, а устаревшие DDR4 и DDR3 постепенно уходят в прошлое.

Важно отметить также, что премьера 3D Matrix Memory состоялась словно между делом. Она прошла на конференции SanDisk 2.0, и ей уделили меньше времени, нежели SSD-накопителям на 128 ТБ для центров обработки данных, а также планам SanDisk по выпуску SSD на 256 ТБ в 2026 г., 512 ТБ годом позже и 1 ПБ в 2032 г.

Источник