Samsung разработает быструю оперативную память LLW DRAM с низким энергопотреблением

Samsung разрабатывает новый тип памяти под названием Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает очень высокой пропускной способностью, малой задержкой и низким энергопотреблением. Компания предлагает в первую очередь использовать новую память в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя также подобная память подойдёт и для других рабочих нагрузок, включая клиентские. Источник изображения: Samsung
Подробнее https://7ooo.ru/group/2024/01/10/223-samsungrazrabotaet-bystruyu-operativnuyu-pamyat-llw-dram-s-nizkim-energopotrebleniem-grss-272336227.html