Intel показала конструкцию транзисторов будущего CFET, но в реальных чипах они появятся нескоро

На отраслевой конференции ITF World 2023 в бельгийском Антверпене генеральный менеджер по развитию технологий Intel Энн Келлехер (Ann Kelleher) рассказала о последних разработках компании в нескольких ключевых областях. Одним из самых интересных откровений этого выступления стало то, что в будущем Intel будет использовать многослойные транзисторы CFET или комплиментарные FET (Сomplementary FET).
Источник изображений: Intel
Intel впервые отметила многослойные транзисторы CFET в рамках своей презентации, однако Келлехер не назвала сроки начала производства чипов с такими транзисторами. Сама технология комплементарных FET была впервые представлена международным научно-исследовательским центром Imec в 2018 году.
На изображении выше можно увидеть внешний вид транзистора CFET в представлении компании Intel (обведён красным кругом). В нижней части изображения представлены старые поколения транзисторов, а 2024 год ознаменовывает переход Intel на использование новых RibbonFET — транзисторов с нанолистами и круговым затвором (nanosheet GAAFET). Они будут выпускаться с использованием техпроцесса Intel 20A и содержать четыре нанолиста, каждый из которых будет окружён затвором. По словам Келлехер, разработка RibbonFET ведётся в соответствии с графиком, и они должны дебютировать в следующем году. В RibbonFET используется конструкция с окружающим затвором, позволяющая увеличить плотность транзистора, повысить скорость его перехода из одного состояния в другое и при этом без значительных жертв с точки зрения энергопотребления.
Стилизованное изображение CFET-транзистора Intel выше несколько отличается от первых изображений этих транзисторов, представленных Imec (показаны ниже), но в целом Intel своим изображением передаёт их суть — в CFET будут использоваться восемь нанолистов, что вдвое больше, чем у RibbonFET. Это позволит ещё сильнее повысить плотность транзисторов. Для сравнения, на изображениях ниже также показаны другие типы транзисторов (планарный FET, FinFET и RibbonFET).
Конструкция CFET-транзистора предполагает расположение рядом друг с другом полупроводниковых элементов n-типа (pFET) и p-типа (pFET). В настоящий момент рассматривается два варианта CFET-транзисторов — монолитные (monolithic) и последовательные (sequential). Второй вариант отличается более высокой и широкой конструкцией. В правой части изображения ниже представлены четыре варианта конструкции CFET-транзисторов. Какой из них в конечном итоге выберет Intel — неизвестно. И узнаем мы это нескоро, поскольку Imec считает, что CFET-транзисторы появятся на рынке не ранее момента, когда техпроцесс производства чипов не сократится до уровня 5 ангстрем, что в свою ожидается не ранее 2032 года.
Источник…
Подробнее https://7ooo.ru/group/2023/05/19/523-intel-pokazala-konstrukciyu-tranzistorov-buduschego-cfet-no-v-realnyh-chipah-oni-poyavyatsya-neskoro-grss-207052727.html