Samsung обошла Intel по технологичности производства массивов SRAM

На конференции Solid-State Circuits Conference 2018 (ISSCC) представители компании Intel подтвердили продолжение действия закона Мура, показав рост плотности транзисторов по мере снижения масштаба техпроцесса. При переходе с 14-нм техпроцесса на 10-нм размеры ячейки памяти SRAM уменьшились в 0,62–0,58 раз: до 0,0312 мкм2 для высокоплотной версии техпроцесс и 0,0367 мкм2 для низковольтной версии (подробнее см. в сводной таблице ниже).