В течение фазы заряда два электролитических конденсатора одинаковой емкости C1 и C2 включены последовательно через смещенные в прямом направлении диоды D1 и D2 и получают зарядный ток. P-канальный MOSFET обогащенного типа IRF9530 (Q1) остается закрытым из-за небольшого положительного смещения на затворе, создаваемого прямым падением напряжения на стабилитроне D4. Каждый из конденсаторов заряжается примерно до половины пикового значения выпрямленного напряжения за вычетом падений напряжения на диодах D1 и D2. В начале фазы разряда диод D1 смещается в обратном направлении, и конденсатор C2 разряжается через нагрузку, которой для него является регулятор напряжения IC1. Далее анодное напряжение диода D1 продолжает уменьшаться, напряжение затвор-исток транзистора Q1 становится отрицательным, и транзистор открывается, давая возможность конденсатору C1 разряжаться на нагрузку через смещенный в прямом направлении диод D3. По сути, два конденсатора заряжаются последовательно, а разряжаются на нагрузку параллельно, уменьшая вдвое выпрямленное напряжение и напряжение пульсаций на входе микросхемы IC1. Стабилитрон D4 защищает транзистор Q1 во время разряда конденсатора C1, ограничивая напряжение между его затвором и истоком. Для того чтобы схема работала надлежащим образом, через нее должен протекать небольшой ток нагрузки. Обычно для этого хватает собственного тока, потребляемого микросхемой регулятора. В противном случае конденсатор C2 будет заряжаться до пикового значения выходного напряжения диодного моста D5. Емкости конденсаторов C1 и C2, а также параметры остальных компонентов зависят от требуемого максимального тока нагрузки. Сопротивления резисторов R1 и R2 некритичны. Обратите внимание, что Q1 работает как ключ, поэтому, выбрав транзистор с низким сопротивлением открытого канала, вы ограничите мощность, рассеиваемую схемой.