ПЕРВАЯ 3D ФЛЕШКА ОТ SAMSUNG

Главная проблема разработчиков при создании карт памяти состоит в том, что, вместе с увеличением плотности записи и объема данных «хранилища», по экспоненте возрастает количество ошибок и сбоев, которые выдает высокотехнологичное устройство. Из-за этого возник своеобразный барьер, то есть лимит объема, превзойти который до вчерашнего дня не удавалось.
Выражаясь проще, чем больше свободного места доступно для записи, тем больше у флешки «глюков» и «багов». Было. Раньше.
Samsung удалось решить эту проблему и запустить в производство первую вертикальную 3В NAND-карту памяти или V-NAND, как ее называют сокращенно.
Хотите узнать, при чем же здесь 3D?
Так вот, любая информация записывается на носителе в своеобразные ячейки. Согласно принятым доселе порядкам, эти ячейки располагались на карте памяти традиционно, то есть в двухмерно. Из-за этого и возникали ограничения. А разработчики «Самсунг» слегка переработали технологию Charge Trap Flash и «запустили» технологию трехмерного расположения ячеек, то есть карту 3D-памяти.
Результат опыта позволили решить сразу несколько проблем: повысилась надежность записи, то есть начисто исчезла взаимосвязь «больше объем — больше глюков» и в качестве приятного бонуса увеличилась скорость записи даже огромных объемов информации.
В Samsung гордо заявляют, что их создание – память нового поколения, которая в 2-10 раз надежнее своих предшественников и в два раза быстрее.
Первая V-NAND имеет не слишком выдающиеся характеристики. Объем ее памяти составляет всего лишь 16 Гб или 128 гбит. Зато «внутри» такой карты памяти располагаются целых 24 ряда ячеек для записи, а вот этого еще не бывало.