DDR4 память Micron Micron планирует закончить подготовку к производству компьютерной памяти по технологии 16 нм к концу текущего финансового года, который завершается в начале сентября. Таким образом, компания сможет начать массовое производство 16-нм DRAM уже в четвёртом квартале календарного 2016. «Мы хотим подготовить производственные мощности [для изготовления 16-нм памяти] к концу финансового года», — сказал Эрни Мэддок (Ernin Maddock), финансовый директор и вице-президент Micron, на конференции UBS Global Technology Brokers Conference. «Как быстро мы начнём использование этой технологии будет зависеть от развития ситуации на рынке в указанный период времени. Таким образом, на основе всего, что мы видим сейчас, мы будем достаточно агрессивны в развертывании использования 16-нм технологии; примерно, как мы вели себя с 20-нм технологией».

Планы разных производителей по внедрению новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights Производственный процесс 16 нм является первой технологией, совместно разработанной инженерами Micron из США и Японии. Затраты на проектирование данного техпроцесса выше, чем расходы на создание технологий предыдущих поколений. В апреле этого года Micron заявила, что первые образцы 16-нм микросхем памяти начали производиться на бывшей фабрике Elpida около Хиросимы (Япония). Micron возлагает большие надежды на 16-нм нормы изготовления и надеется, что её технология будет более прогрессивной, чем у Samsung. «Если вы посмотрите на некоторые из ранних образцов [10 нм класса чипов DRAM] Samsung, вы заметите, что архитектурные изменения, которые они внедрили, не обеспечивают снижения размера ядра или увеличения плотности записи, подобных тем, что мы видели при переходе с 30-нм на 25-нм техпроцесс», — сказал Марк Дюркан (Mark Durcan), исполнительный директор Micron, в ходе одной из недавних телеконференций с инвесторами и финансовыми аналитиками. «Мы вполне ожидаем, что закроем [технологический] разрыв с Samsung при переходе на 16 нм». К сожалению, ни Micron, ни Samsung не раскрывают подробностей о своих техпроцессов класса 10 нм (ранее поколение этих технологий обозначается как 1X nm). Считается, что первый технологический процесс Samsung в данном классе будет иметь расстояние между идентичными элементами в массиве (т.н. half pitch) в 18 нм. Компания Micron планирует быть более агрессивной и намеревается освоить сразу технологию 16 нм. Более тонкий технологический процесс позволит Micron производить микросхемы меньшего размера, что особенно важно при переходе на DDR4, а также чипы ёмкостью 8 Гбит и выше.

Особенности новых технологических процессов для изготовления DRAM. Данные TechInsights Производители DRAM считают, что дальнейшее увеличение ёмкости микросхем памяти потребует перехода на структуру ячейки 4F² (со структуры 6F², которая используется сейчас). Подобное строение ячейки потребует использования новой архитектуры транзисторов, что означает дополнительные сложности для производителей памяти. Аналитики из TechInsights полагают, что переход на ячейки 4F² и новые типы транзисторов будут происходить одновременно с переходом на технологические процессы класса 10 нм. Будут ли Micron и Samsung переходить на ячейки 4F² уже с первым поколением 10-нм технологий неизвестно, но, судя по всему, производители DRAM станут более агрессивными с внедрением новых норм производства памяти в ближайшие годы вследствие обострившейся конкуренции и необходимости снижать производственные расходы. Источник: Источник: #процессоры