О вероятной причине прекращения совместных разработок 3D NAND компаниями Intel и Micron

В начале января как гром среди ясного неба разнеслась информация, что компании Intel и Micron прекратят совместную разработку многослойной памяти 3D NAND, начиная с четвёртого поколения или, конкретизируя, после завершения разработки 96-слойной памяти. Появились спекуляции, что Intel собирается делать ставку на память 3D XPoint, хотя компании продолжат совершенствовать этот тип энергонезависимой памяти рука об руку. Что же произошло на самом деле? Ответ на этот вопрос может крыться и, скорее всего, кроется в намерении Micron изменить архитектуру ячейки 3D NAND. Память 3D NAND может использовать разный тип ячеек: с ловушкой заряда или с плавающим затвором