В настоящий момент все инверторы (ММА-Manual Metal Arc — ручная дуговая сварка электродами) выпускаются по двум полупроводниковым технологиям - IGBT и MOSFET 👇

В схемах этих аппаратов используются разные полупроводниковые транзисторы (полупроводниковый радиоэлемент, предназначенный для изменения параметров и управления электрическим током) - IGBT и MOSFET.
Основное различие между этими транзисторами — различный ток преобразования. Большим током обладают транзисторы IGBT.
Для изготовления стандартного инвертора понадобится 2–4 IGBT транзистора (в зависимости от рабочего цикла), a MOSFET — 10–12, так как они не могут пропускать через себя большие токи, поэтому их приходится делить на такое большое количество транзисторов. При этом транзисторы очень сильно греются и их необходимо установить на мощные алюминиевые радиаторы. Чем больше радиатор, тем больше съем тепла с него, а, следовательно, больше его охлаждающая способность.
Чем больше транзисторов, тем больше радиаторов охлаждения необходимо установить, что увеличивает габариты, вес и т. д.
MOSFET здесь однозначно проигрывает.
На практике схемотехника MOSFET не позволяет создать аппарат на одной плате: т.е. аппараты, которые сейчас в продаже, собраны в основном на трех платах. IGBT аппараты идут на одной плате.
IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) - биполярный транзистор с изолированным затвором) более современная технология, чем MOSFET (полевые транзисторы с изолированным затвором).
Основные плюсы MOSFET:
- надежные аппараты, в особенности для сварки на малых токах с высокими сварочно-техническими характеристиками;
- переваривают высокие критические нагрузки, более надежны и лояльны к перегревам и к максимальным значениям тока.
Основные минусы MOSFET:
- худший теплообмен;
- меньший КПД (относительно IGBT).
Основные плюсы IGBT:
- компактность при высокой мощности;
- высокий КПД.
Основные минусы IGBT:
- более склонны к перегреву;
- уязвимость микропроцессорной платы управления.