Предыдущая публикация
Ученые из Университета Райса в Техасе сделали важный шаг на пути коммерческой реализации резистивной памяти со случайным доступом (RRAM). Плотность такой памяти на порядки выше современной флэш-памяти, что позволит смартфонам и другим мобильным устройствам вмещать терабайты данных. ПОЛНУЮ НОВОСТЬ ЧИТАЙТЕ НА САЙТЕ!
Присоединяйтесь — мы покажем вам много интересного
Присоединяйтесь к ОК, чтобы подписаться на группу и комментировать публикации.
Нет комментариев