Компания Micron сделала важный шаг в мире высокоскоростной памяти, начав поставки первых образцов памяти HBM4. Эти новые модули объёмом 36 ГБ предлагают скорость передачи данных до 7,85 ГТ/с с использованием 2048-битного интерфейса — значительное улучшение по сравнению с предыдущими версиями.
⚙️ Основные характеристики:
— Основаны на 24-гигабайтных чипах DRAM с техпроцессом 1ß
— Производство логических кристаллов на мощностях TSMC с 12-нм и 5-нм процессами
— Пропускная способность на 60% выше, чем у HBM3E, с большей энергоэффективностью на 20%
💡 Встроенные средства тестирования делают процесс интеграции быстрее и проще. Это открывает новые горизонты для применения памяти в ИИ-процессорах нового поколения, где высокая скорость и минимальное энергопотребление критичны.
👀 Micron стала первым производителем, который официально начал тестирование HBM4 в сотрудничестве с партнёрами, и аналогичные шаги готовятся от Samsung и SK hynix.
🔜 Массовое производство HBM4 запланировано на 2026 год, когда начнётся производство ИИ-чипов нового поколения, которые будут использовать этот революционный тип памяти.
Новый этап в развитии памяти — шаг к сверхскоростной и энергоэффективной электронике, которая изменит будущее высокопроизводительных вычислений.
#базаэлектроники #электроника #заказэлектроники #электроникадлябизнеса #электронныекомпоненты #новостиэлектроники
Присоединяйтесь — мы покажем вам много интересного
Присоединяйтесь к ОК, чтобы подписаться на группу и комментировать публикации.
Нет комментариев