Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гбит

Компания Samsung объявила о старте массового производства новейших 4-гигабитных чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу. Выпуск DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флеш-памяти. Чтобы справиться с этой задачей, Samsung использует новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения. Это не только позволило компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, используя существующую иммерсионную ArF-литографию (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета), но и сделает возможным производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в будущем. Кроме того, Samsung добилась беспрецедентной однородности нанесения сверхтонких диэлектрических пленок конденсаторов, что дополнительно улучшило эффективность памяти.